MRAM주안점
자기저항랜덤엑세스메모리(MRAM)를통해物联网와자동차칩을위한내장메모리의미래를새롭게펼칠수있습니다。
MRAM기술
MRAM에대한큰계획이있습니다。IC제조업체들은物联网와자동차칩을넘어또다른모바일애플리케이션에MRAM을적용할계획을세우고있습니다。높은수준의读/写속도와비휘발성은매우큰장점입니다。로직회로를통해더빠르게메모리에접속할수있으며결과적으로배터리수명이향상됩니다。
MRAM:도전적인공정
MRAM제조에는복잡하게적층된20 - 30층의초박막금속과절연층의증착,어닐링,자화및식각에대한핵심적인제어가요구됩니다。이메모리셀은독립된메모리칩을구성할수있거나,칩이거의완성단계에도달하여가치가높을때BEOL공정흐름내로직칩에내장될수있습니다。최종소자성능을이해하고예측하기위해서는인라인의비파괴적인공정제어가필수입니다。
MRAM공정흐름및제어
자기터널접합(MTJ)
박막두께
분광타원해석기술은귀중한박막두께정보를제공합니다。
MTJ스택의개별금속층두께측정을위한높은수준의정확도가필요합니다。
박막층의박막두께에대한이해는MRAM소자성능을제어하는데필수적입니다。
CIPT
면상터널링전류(CIPT)는저항을자기장과대비해서측정하는12점프로브전기기법입니다。
CIPT는증착,어닐링및자기화후자유층의중요한물성을제공합니다。
해당기법은인라인MRAM모니터링을위한표준기법으로간주합니다。
笨人
자기광학적커효과(驴)는스택내자유및핀층의미세한변화를탐지합니다。
비접촉측정은강력한자기장을사용하여편광상태변화를파악합니다。
특별타겟이필요없는광학기법으로식각전및식각후측정이가능합니다。
산란측정
광학산란(SCD)측정을통해식각후개별셀의형태를파악할수있습니다。
온디바이스측정으로연관성이제일높은구조적정보를제공합니다。
MRAM구조의형태를통해MRAM셀의최종전기적물성을파악할수있습니다。
MRAM프로세스에서중요한파라미터측정및제어에대한상세한내용을원하시면解放军제품링크를클릭해주세요。