첨단패키징을위한웨이퍼웨공정

첨단패키징을위한웨이퍼웨공정

spts는고밀도팬아웃이퍼레벨레벨(fowlp)과과이채워진실리콘관통전극플라즈마식각및증착공정기술을제공합니다。또한spts는실리콘식각분야에서오랫동안축적된을활용최대최대최대최대웨웨웨최대의의의의dbg(在研磨之前)또는dag(研磨后)공정공정위한가장된플라스마분(切割)반도체칩제조업체는spts의의양산에입증된공정과정밀한공정관리를통해통해생산비용시키고시키고신뢰성시키고시키고신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성신뢰성시키고신뢰성시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고시키고한시키고

欧米茄®플라즈마식각

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欧米茄®플라즈마식각

실리콘플라즈마식각시스템

spts omega.®어플리케식각시스템은어드밴스드패키징이션에서에서요구되는초고속의식각속도자랑자랑자랑자랑하고하는식각속도속도를을포함하고하고이모듈은주로수직형태(垂直),점점가늘어특히2.5d또는3D ic패키징을위한인터포저형성위하여웨웨웨으로부터실리콘실리콘내부내부내부퍼으로부터실리콘실리콘내부내부채워진채워진채워진채워진채워진노출노출전면(通过揭示)에서에서사용됩니다。그리고상위버전剑杆织机™XE모듈은전면식각에서일반적으로경쟁사대비2-4배더빠른식각속도를제공하며레시피를이용하여웨이퍼균일도를조절할수있습니다。또한,이러한전면식각방식공정이용하면5μm심지어0.5μm두께두께까지극도로얇은실리콘퍼를형성형성시킬수실리콘실리콘웨퍼를형성형성수그리고특허보호를받는spts고유고유엔드포인트(环保)솔루션을이용하면용을관리할수있습니다。

응용분야

TSV형성식각,通过展示을을전면식각,극도로극도로실리콘형성

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Mosaic™플라즈마절단

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Mosaic™플라즈마절단

플라즈마절단시스템

spts의mosaic™플라즈마플라즈마이싱시스템은실리콘이퍼로부터다이들다분단플라즈마다이싱은건식식각방식을이용하여하여가낮은낮은이,높은다이강도의형성이됩니다。이러한장점들은데미지데미지에취약얇은이퍼,low-k박막이포함된된이퍼에다다이퍼본딩(钻至晶圆绑定)를가공할할때더기여수수수수또한,병렬공정이기에초소형이가공에서에서높은생산,얇은웨이퍼가공에서높은수율로인해경제적적수율로제공경제적점제공제공합니다제공제공제공제공제공제공제공제공제공이브굉장히좁은이레인레인도공정이를내때문많은에이를내시킬수있으며이를배치시킬수있으며이다이싱에에무료와이파이퍼이아웃이이능합니다。

응용분야

아이퍼내내칩(특히您다이에에),얇은웨이퍼,또는다이투웨이퍼

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西格玛®PVD.

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西格玛®PVD.

금속금속증착을위한물리기상(PVD)시스템

spts sigma.®PVD시스템은실리콘또는몰드웨이퍼위에au,al,ti,tiw,cu와같은금속을증착데사용됩니다。유기보호막과신소재등등사용하는언더하는언더범프(UBM)와와(RDL)과같은첨단패키징에는적적이있습니다西格玛®pvd시스템은가싱싱(degas)및및산화물제거(预清洁)기술기술사용함다른다른증착증착비특히2.5d와3D-IC패키징응용분야에서spts의의hi-fill®이온화화물리기상(AHF-PVD)은높은종횡비(AR)의의관통전극(TSV)에서Cu屏障/种子에에대해최고수준의의cover최고수준수준수준cover최고수준수준수준cover covercover제공제공제공합니다

응용분야

실리콘실리콘fo-wlp몰드몰드이퍼의의 - 범프범프화(UBM)와재배선층(RDL),TSV屏障/种子층

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Delta™PECVD

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Delta™PECVD

플라즈마플라즈마화학기상(PECVD)시스템

SPTS DELTA™PECVD시스템은첨단패키징응용의300 mm접합기판과몰드사용할수수있는저온증착을제공제공Delta™PECVD는110°C와같은낮은증착에서검증된고품질의sio및sin박막을생산합니다。동일한PECVD챔버안에서的SiN - 二氧化硅층을증착할수있으며생성된박막은높은신뢰수준의전기적인특성과시간에따른안정성을갖고있습니다。단일및적층막의스트레스를넓은범위로조절할수있으며챔버하드웨어의최적화를통해서다른PECVD시스템에비해웨이퍼내스트레스편차를최소화할수있습니다。필요에따라단일웨이퍼또는멀티멀티이퍼의가스가스또한또한최적화sio,teos sio및첨단유전유전융합융합접합(融合粘接)응용응용사용할수있습니다。

응용분야

via-last실리콘관통전극라이너(衬垫),via-leveve보호막,薄晶圆를위한응력,융합접합을위한유전막

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