具有挑战性的过程

MRAM的制造需要对沉积、退火、磁化和蚀刻的关键控制，这些控制由20到30层非常薄的金属和绝缘层组成。这些存储单元可以组成一个独立的存储芯片，或者在芯片接近完成且芯片价值较高时嵌入到BEOL流程中的逻辑芯片中。在线，非破坏性的过程控制是了解和预测最终设备性能的关键。