专注MRAM技术
磁阻随机存取存储器(MRAM)可以改变物联网和汽车芯片中嵌入式存储器的未来。
MRAM技术
MRAM技术更大的应用计划,除了物联网和汽车芯片,IC制造商还计划将MRAM集成到其他移动应用中。较高的读/写速度和非易失性具有明显的优势。逻辑电路可以更快地访问存储器，延长了电池寿命。
MRAM:制程挑战
MRAM制造要求对20到30层非常薄的金属和绝缘体的复杂堆叠,对沉积,退火,磁化和蚀刻进行严格控制。这些存储器单元可以组成独立的存储器芯片,或者在前段(BEOL)制造流程中嵌入到逻辑芯片中,当芯片接近完成且芯片的价值很高时。在线无损制程控制对于理解和预测最终设备性能至关重要。
MRAM制程流程与控制
磁性隧道结(MTJ)
薄膜厚度
CIPT
电流面内隧穿(CIPT)是一种12点电子探针技术,可测量电阻随磁场的变化
CIPT提供了自由层在沉积,退火和磁化过程之后的重要性质
该技术被认为是在线MRAM制程监测的标准
笨人
光学散射
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