量测
量测
心理契约的量测系统满足了一系列芯片和基片晶圆制造应用所需,包括设计可制造性验证,新工艺表征以及批量制造工艺的监控。通过精确测量图案尺寸、薄膜厚度、层间对齐、图案位置、表面形貌和电光特性，我们全面的量测系统帮助芯片制造商严格控制其工艺，从而提高器件性能和良率。
阿切尔™
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套刻量测系统
阿切尔™750套刻量测系统提供对产品套刻误差的准确反馈,能实现快速的技术升级,稳定生产先进的存储器和逻辑器件产品。在制造工艺不断变化的情况下,具有10 nm分辨率的波长可调性提供了准确而强大的套刻误差测量。量产应用常见于散射量测的系统,阿切尔750成像技术套刻系统支持更高采样率对光刻机的高阶校正,同时提供高产量便于进行在线监测。先进的算法和新颖的rAIM™套刻目标设计可改善目标与器件套刻误差之间的相关性,从而帮助光刻人员准确跟踪器件套刻的状况。
ATL™
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套刻量测系统
基于ATL100™(精确可调谐激光器)散射测量的套刻测量系统可以为≤7海里设计节点的开发和批量制造提供套刻控制。系统结合了分辨率为1微米的可调谐激光技术与实时自导™功能以确保在实际生产工艺发生变化时仍然保持高精度的套刻。ATL100支持包括芯片内和小间距在内的各种散射测量叠加测量目标设计,并且可以针对不同工艺层,器件类型,设计节点以及图案化技术实现精确的套刻误差测量。
应用
产品上套刻控制，在线监控，扫描仪认证，图案化控制，芯片内测量相关产品
弓箭手:基于成像的套刻量测系统,可为≤1 xnm设计节点的开发和批量制造提供高精度套刻测量。
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光学临界尺寸(CD)和形状量测系统
SpectraShape™11 k尺寸量测系统用于全面表征和监控finFET的关键尺寸(CD)及其三维形状,垂直堆叠的NAND和DRAM结构以及前沿设计节点上集成电路的其他复杂功能。利用光学技术和专利算法的先进性突破,SpectraShape 11 k可以识别关键器件的参数(关键尺寸,高k和金属栅极凹槽,侧壁角度,光刻胶高度,硬掩模高度,间距偏移)的细微变化。SpectraShape 11 k配备了经过改进的工作台和全新的测量模块,可实现高产量运转,能够在线快速识别制程中的问题,从而帮助晶圆厂加快产量提升并实现稳定的生产。
应用
在线制程监测,图形控制,制程窗口扩展,制程窗口控制,高级制程控制(APC),工程分析相关产品
AcuShape®：先进的建模软件,解析来自SpectraShape系统的信号,从而有助于加快构建强大的3 d形状模型的过程。
SpectraShape 10 k:光学CD和形状量测系统,可测量1 xnm逻辑和高级存储IC器件的复杂功能。
SpectraShape 9000:光学CD和形状量测系统,可以测量20 nm及以下设计节点的集成电路器件的复杂功能。
SpectraShape 8810/8660:光学CD测量和形状测量系统,可对32 nm及以下设计节点的集成电路器件的关键结构参数进行制程监控。
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薄膜量测系统
SpectraFilm™F1薄膜测量系统可以为各种薄膜层提供高精度薄膜测量,从而在7海里一下的逻辑和领先内存设计节点上协助实现严格的工艺允许误差。高亮度光源驱动光谱椭偏仪技术，信号足以精确测量带隙并且可以比电子测试提早数周了解电性能。新的雾™(光栅上的薄膜)算法可以在类似器件的光栅结构上实现薄膜测量,从而进一步提高测量值与器件的相关性。随着产量的提高,SpectraFilm F1能够支持产率提升,并且测量更多与先进设备制造技术相关的薄膜层。
应用
带隙监控，工程分析，在线工艺监控，设备监控，工艺设备匹配相关产品
SpectraFilm LD10:SpectraFilm LD10薄膜量测系统可为16 nm及以下的设计节点的各种薄膜层提供可靠的,高精度的薄膜及厚膜厚度,折射率和应力测量。
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薄膜量测系统
Aleris®薄膜量测系统可为32 nm节点及以下节点提供可靠的,精确的薄膜厚度,折射率,应力以及成分测量。利用宽带光谱椭偏仪(BBSE)技术,Aleris薄膜测量系统提供全面的薄膜厚度测量和量测解决方案,帮助晶圆厂对各种薄膜层进行鉴定和监控。
Aleris 8330
8330年Aleris薄膜量测系统是一种低成本的解决方案,用于包括金属间电介质,光阻,底部抗反射涂层,厚氧化物和氮化物以及后段层等非关键薄膜层。
Aleris 8350
Aleris 8350是一种高性能薄膜量测系统,可以满足关键薄膜层对厚度,折射率和应力测量所需的更严格的工艺差异。Aleris 8350薄膜厚度测量系统针对各种关键薄膜提供先进薄膜开发,表征和工艺控制,其中包括超薄扩散层,超薄栅极氧化物,先进光阻,193 nm弧形层,超薄多层堆叠以及化学汽相淀积层等。
Aleris 8510
8510年Aleris将Aleris系列的薄膜厚度,成分和应力测量功能扩展到先进的High-k金属栅极(HKMG)和超薄去耦等离子体氮化(DPN)工艺层。8510年Aleris薄膜厚度测量系统采用增强型150 nm宽带光谱椭偏仪技术,针对DPN层和所有HKMG层——从栅极到多晶硅,包括高频和N剂量和薄膜厚度测量为工程师提供技术开发和在线监控所需的薄膜量测数据。
应用
工程分析，在线工艺监控，设备监控，工艺设备匹配对此产品有兴趣或问题?
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图案化的晶圆几何形貌(倍增)量测系统
倍增™图案化晶圆量测平台为高级3 d NAND, DRAM和逻辑器件产品制造商提供全面的晶圆平坦度和双面纳米级形貌数据。PWG5™具有高分辨率和高密度采样，可以测量应力引起的晶圆形状变化、晶圆形状引起的图案套刻误差、晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面的形貌变化。凭借业界极佳的动态范围,PWG5支持在线监测与控制晶圆翘曲和应力,这些翘曲和应力是由于制造高级3 d NAND闪存器件的96 +层堆叠沉积制程产生的。PWG5从源头识别制程引起的晶圆形状变化,从而能够进行晶圆的制程返工,制程设备的重新校准或与心理契约的5 d分析仪®数据分析系统集成，将结果反馈到扫描仪，从而改善产品套刻精度和整体器件的良率。
CAPRES A301 microRSP®
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微尺寸方块电阻探测
基于传统的肉眼可见且已被证明的可靠的四探针技术,Capres microRSP提供了一个直接简单的转换:从通用的线下测试晶圆的阻值测量转向线上的产品晶圆的方块电阻特性描述。由于使用了间距低至500年纳米的悬臂式顺应性微结构电极阵列,CAPRES microRSP是第一个非破坏性的,可以工作在300毫米产品晶圆划片槽上的阻值量测设备。全自动的A301 microRSP基本配置可以在300毫米的无图形晶圆和产品晶圆上量测方块电阻,而且它还可以按照下面所定义的,为实现额外的能力和功能而配置成不同的A301型号。我们还可以提供以下各种全自动和半自动的microRSP 200 mm晶圆设备。
应用
产品晶圆上的方块电阻控制,针对沉积,CMP和蚀刻在线设备和制程的监控,制程设备匹配
相关产品
CAPRES A301 CIPTech®：全自动300 mm晶圆MTJ堆叠结构(MRAM / stt - ram)电特性的直接测量
CAPRES A301 microETEST:亚微米2 d / 3 d结构阻值,霍尔迁移率和载流子密度的测量
CAPRES A301 microHALL®：划片槽内量测区块上的霍尔迁移率和载流子密度的测量
CAPRES A201 microRSP®：全自动200毫米产品和测试晶圆上的方块电阻的测量
CAPRES M201 microRSP®：半自动200毫米产品和测试晶圆及切片样品上的方块电阻的测量
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全表面晶圆缺陷检测、量测和检视集群系统
CIRCL™集群设备包含四个模块可以检测所有晶圆表面并同步采集数据,从而实现高产量和高效率的工艺控制。最新一代的CIRCL5系统模块包括:晶圆正面缺陷检测;晶圆边缘缺陷检测；轮廓、量测和检查;晶圆背面缺陷检测和检查;以及晶圆正面缺陷的光学检查和分类。DirectedSampling™可以提供数据采集控制,并创新地利用一项测量结果触发集群设备中其他类型的测量。CIRCL5的模块化配置可以灵活地满足不同工艺控制的需求,节省整个晶圆厂空间,缩短晶圆排队检测时间,并可以通过经济高效的系统升级来保护晶圆厂的资本投资。