EtchTemp系列

EtchTemp系列

原位等离子体蚀刻晶片温度测量系统

EtchTemp系列的原位晶圆温度测量系统捕捉了等离子蚀刻工艺环境对生产晶圆的影响。EtchTemp-HD测量系统包括高传感器密度，可实现跨晶片温度监测，与导体蚀刻应用中的CD均匀性控制密切相关。通过表征与产品晶圆条件密切相关的热条件，EtchTemp-HD无线晶圆协助工艺工程师调整蚀刻工艺条件，以及线等离子蚀刻室前端的鉴定、匹配和pm后验证。

传感器阵列^®自动化

传感器阵列^®自动化

现场温度测量自动化包

传感器阵列^®自动化包提供快速自动收集过程工具室温度测量值。该套件包括与高架轨道（OHT）兼容的FOUP、自动化站、系统自动化控制器和办公PC软件座椅组件。SensArray FOUP的处理方式与任何生产FOUP相同，数据直接移植到SPC图表。SensArray Automation通过提高工艺工具的可用性、更高效地利用工程资源以及在工厂MES数据库中集中存储数据，提高了生产效率。

Hightemp-400.

Hightemp-400.

原位膜沉积晶圆温度测量系统

HighTemp-400原位晶圆温度测量系统设计用于优化和监控先进的薄膜工艺（FEOL和BEOL ALD、CVD和PVD）和其他高温工艺。HighTemp-400无线晶圆测量工艺工具的热均匀性，提供在实际生产工艺条件下收集的时间和空间温度数据。通过揭示可能影响工艺窗口和图案性能的热变化，HighTemp-400帮助IC制造商集成新材料、晶体管技术和复杂图案技术。

紫外线晶片

紫外线晶片

原位沉积和退火紫外光测量系统

紫外光晶片原位紫外光（UV）测量系统利用无线传感器晶片技术测量薄膜沉积工艺工具内晶片表面的紫外光剂量和强度。UV晶圆可实现先前不可用的工艺优化和监控，提供有关从用于退火或固化FCVD（可流动）氧化物和低k介电薄膜的UV灯到达晶圆表面的光强度的时间和空间信息。UV晶片还可以识别灯龄引起的漂移或其他导致薄膜特性不均匀的灯强度变化。通过突出UV灯子系统内的光学系统问题，UV晶圆帮助工程师推动工艺工具的改进，从而实现最佳固化工艺。

马斯克特姆™ 2.

马斯克特姆™ 2.

原位十字线温度测量系统

耶稣受难节™ 2掩模车间使用现场十字线温度测量系统对电子束写入机和高温十字线工艺步骤进行鉴定和监控。MaskTemp 2在电子束掩模写入器的鉴定中起着关键作用，因为完全写入掩模所需的延长时间（最多24小时）内需要极端温度稳定性。在电子束掩模写入器内部，MaskTemp 2连续24小时收集温度数据，为掩模制造商提供在写入关键掩模之前确保系统热稳定性所需的数据。掩模温度2还支持曝光后烘焙特性、热板温度均匀性监测、热板匹配和其他高温工艺应用，帮助掩模制造商识别和减少影响最终掩模质量的写后工艺热变化。

扫描温度

扫描温度

在原位扫描仪晶片温度测量系统

SCANNERTEMP原位晶片温度测量系统支持监测干燥，浸入和EUV光刻扫描仪。SCANNERTEMP无线晶片产生高精度的时间和空间晶圆温度数据，可以帮助光刻工程师的特征和监控影响模式覆盖性能的扫描仪热变化。通过平板，标准厚度晶片格式，Scannertemp可用于监控光刻热均匀性和高精度和低噪声的稳定性，使扫描仪认证和匹配。

集成晶圆™

集成晶圆™

原位光刻晶圆温度测量系统

集成晶圆™ 原位晶圆温度测量系统收集关键热数据，用于监控和维护光刻工艺。通过无线、低剖面设计，集成晶圆可用于几乎所有光刻工艺设备，为关键生产工艺提供高精度静态和动态温度测量。集成晶片帮助光刻工程师表征热剂量均匀性，并分析热循环的各个部分，包括传输、加热、冷却和稳态操作。集成晶圆支持高级光刻工艺中关键热板加热区元件的测量和监控等应用（例如，跟踪曝光后烘焙站）。

Wettemp-LP.

Wettemp-LP.

现场湿法加工晶圆温度测量系统

WetTemp LP原位晶圆温度测量系统支持湿清洁和其他湿过程的监控。WetTemp LP monitor晶圆的厚度与标准产品晶圆的厚度相同，确保与大多数单晶圆和批量湿法清洁工艺系统兼容。通过多个集成温度传感器，WetTemp LP提供丰富的空间温度数据，帮助工程师鉴定新的湿清洁工具，优化湿清洁过程，并推动湿清洁系统性能的改进。

Process Probe™1530/1535

Process Probe™1530/1535

现场晶圆温度监测系统

过程探针™ 1530和1535仪器化晶片用于监控各种工艺的现场温度，包括冷壁、RTP、溅射、CVD、等离子体剥离器和外延反应器。工艺探针1530和1535在工艺循环的每个关键步骤中提供直接、实时的晶圆温度测量。利用这一全面的温度数据，工艺工程师可以表征和微调工艺条件，推动工艺设备性能、晶圆质量和产量的提高。

Process Probe™1630

Process Probe™1630

现场晶圆温度监测系统

Process Probe™1630仪器化晶圆能够对前端大气和带式CVD系统以及后端晶圆焊料凹凸回流炉的晶圆温度分布进行精确的原位表征。通过工艺探头1630，工艺工程师可以确定边缘到中心的温度曲线，以调整加热器区域设置点，并测量沉积温度的漂移，以调整加热器和传热带上的氧化物积累的传热变化。

Process Probe™1730

Process Probe™1730

现场晶圆温度监测系统

过程探针™ 1730仪器化晶片能够在光刻胶跟踪系统、温度控制晶片卡盘系统、烘箱应用以及抗蚀剂烘烤、聚酰亚胺和SOG应用中精确地原位表征晶片温度分布。工艺探头1730帮助工程师描述和微调工艺条件，以提高工艺设备性能，从而获得更高的产量。

Process Probe™1840/1850

Process Probe™1840/1850

现场晶圆温度监测系统

Process Probe™1840和1850仪表晶圆提供了高精度，实时热板温度测量，支持诸如光致抗蚀剂轨道系统和晶片探测器的过程。过程探针1840和1850允许直接测量晶片温度稳定性和均匀性而不依赖于不精确的过程监视器或接触温度传感器。利用过程探针1840和1850，光刻工程师可以表征和微调光致抗蚀剂烘烤温度均匀性，确保先进的光刻工艺满足实现高产所需的温度精度。

等离子体

等离子体

等离子体数据分析系统

等离子电视
PlasmaView过程分析查看系统为查看详细的等离子蚀刻过程分析提供了一个直观的界面。使用从EtchTemp和EtchTemp- se收集的数据。PlasmaView显示等离子过程数据与时间和空间(2D或3D)。电影视图允许工艺工程师可视化关键瞬态响应，可用于故障调查。

PlasmaControl
plasmaccontrol分析引擎有助于监测和控制日常操作和室间匹配。它将复杂的等离子蚀刻过程浓缩到几个关键部件，并将它们与控制规格进行比较，为每次操作提供简单的“开始”或“停止”结果。plasmaccontrol为工程师提供了查看趋势，检测和调查漂移，并比较等离子蚀刻工艺室的能力。

石室

石室

光刻数据分析系统

岩景
LithoView过程分析用户界面提供标准化的数据查看功能，包括数据的2D和3D时间视图。LithoView为具有完全任务控制功能的工程师提供了完全的任务控制能力，例如Full SensorWafer™通信，任务操作和数据下载。LithoView还包括一个数据库和浏览器，用于完全跟踪数据历史记录。

AutoCal TrackTune应用程序
AutoCal TrackTune高级软件应用程序用于校准和优化先进的轨道热板。该应用程序利用了使用SensArray收集的数据的准确性^®集成晶片，用于捕获光刻胶处理区的温度分布。通过将详细的热剖面数据与OEM板特定的热建模引擎相结合，它可以生成优化的热板控制系统输入参数设置。这些优化设置显著改善了板内均匀性，并使板间热轮廓同步。

热图^®

热图^®

无线数据采集和数据分析

热图^®数据采集和分析系统支持现场晶圆温度测量。Thermal MAP系统将无线ISIS 5(智能传感器接口系统)数据采集单元与强大的图形软件相结合，可以对SensArray收集的数据进行可视化和分析^®仪器化晶圆。这种精密的晶圆温度数据采集和分析系统为瞬态和稳态测量提供了卓越的精度、精密度和分辨率。通过提供温度上升、稳态和下降的简明、信息丰富的图形表示，Thermal MAP支持使用以下工具进行快速工艺优化：

• 等高线图和表面图，以帮助对比薄膜厚度和电阻率图
• 动画快速查看温度剖面变化过程中
• 运行间和运行内分析

热跟踪^™5.

热跟踪^™5.

手持无线数据采集

热跟踪^™5数据采集系统支持来自有线SensArray的原位晶片温度测量^®调查过程^™仪表晶片产品。热轨道5系统将无线ISIS 5（智能传感器接口系统）数据采集单元与手持式个人数字助手相结合，以进行实时可视化和记录以表征温度轮廓。通过在加速，稳态和冷却期间提供晶片温度的信息性图形表示，热轨道5提供了一种用于管理大多数过程的快速且经济有效的方法。该便携式系统为瞬态和稳态测量提供了高精度，精度和分辨率，为FAB工程师提供关键数据，以校准并检查温度设定值并运行预定义的预防性维护检查。