用于先进封装的晶圆加工系统
用于先进封装的晶圆加工系统
SPTS为先进的封装方案提供一系列等离子蚀刻和沉积工艺技术-从高密度扇出晶圆级封装(FOWLP)到最先进的3D封装，其中两个或多个模具，可能用于不同的功能，通过填充金属的硅透孔(TSV)在垂直方向堆叠连接。凭借在硅蚀刻领域数十年的专业知识，SPTS还提供最先进的等离子体切割解决方案，可用于直径达300mm的晶圆研磨前切割(DBG)或研磨后切割(DAG)。SPTS经过生产验证的工艺和精确的工艺控制允许芯片制造商降低生产成本，提高可靠性、性能和多功能集成。
ω®等离子体刻蚀
硅等离子体蚀刻系统
sptω®等离子蚀刻系统包括Rapier™系列工艺模块，用于高级封装应用中的高速率硅蚀刻。Rapier™蚀刻模块用于创建垂直或锥形的高纵横比，通过孔或槽通过硅片或插入器用于2.5D/ 3d ic封装应用，以及通过显示蚀刻从晶圆背面暴露铜填充通道的覆盖层。Rapier™XE工艺模块结合了配方可调的均匀性和蚀刻速度，通常比覆盖硅蚀刻的竞争系统快2-4倍。通过加入蚀刻停止层，可以将晶圆极薄到5µm甚至0.5µm。SPTS还为TSV蚀刻提供独特的、专利保护的终端解决方案，通过显示和极端细化工艺，使最佳吞吐量和产量在高产量生产。
σ®周围性血管疾病
金属沉积的物理气相沉积系统
spt西格玛®PVD系统用于沉积金属，如Au, Al, Ti, TiW和Cu，在Si或模具晶圆上。采用有机钝化和新型基片材料的先进封装技术，对欠凸金属化(UBM)和再分布层(RDL)提出了技术挑战。采用新颖的脱气和预清洁技术，西格玛®PVD系统产生的Rc值始终较低，同时提供了比其他PVD系统2倍的吞吐量优势。在2.5D和3d ic应用中，SPTS的高级高填充®电离PVD源在高纵横比tsv中提供世界级的铜屏障/种子覆盖。
δ™PECVD
等离子体增强化学气相沉积系统
对于高级封装应用，SPTS Delta™PECVD系统提供与300mm粘合基材和模具兼容的低温沉积工艺。Delta™PECVD在低至110°C的沉积温度下生产高质量的、合格的SiO和SiN薄膜。si - SiO堆栈可以在相同的PECVD腔内沉积，具有高可靠性的电气性能和长时间的稳定性。薄膜和堆栈应力可以在大范围内进行调节，优化的腔室硬件使PECVD系统的晶片应力范围达到最低。在需要时，可选择单晶片和多晶片脱气，以加热出气基片和提高沉积膜质量。优化的SiO, TEOS SiO和其他先进的介质膜可用于熔合应用。