EtchTemp系列

EtchTemp系列

原位等离子蚀刻晶圆温度测量系统

EtchTemp系列实时温度测量晶圆能够采集等离子蚀刻工艺环境对生产晶圆的影响。EtchTemp-HD测量晶圆配备了更高密度的传感器,可进行晶圆间的温度监控,这与导体蚀刻应用中的CD均匀性控制密切相关。EtchTemp-HD无线晶圆通过表征与产品晶圆状态密切相关的热环境条件,协助制程工程师调整蚀刻工艺条件,以及对前段等离子蚀刻腔室进行鉴定,匹配和点后的验证。

SensArray^®自动化

SensArray^®自动化

实时温度测量自动化方案

SensArray^®自动化方案可以快速自动地收集工艺设备反应室的温度测量数据。该方案包括兼容架空轨道(OHT)的FOUP,自动化站,系统自动化控制器以及办公室电脑软件许可部件。SensArray FOUP的工艺操作方式与任何量产中使用的FOUP相同,并且可以直接将数据传输至SPC图表中。SensArray自动化提升了生产效率,这得益于工艺设备可用性的提高,更有效的工程资源利用以及工厂MES数据库中的集中数据存储。

hightemp - 400

hightemp - 400

实时薄膜沉积晶圆温度测量系统

hightemp - 400实时晶圆温度测量系统旨在优化和监控先进的薄膜工艺(FEOL和BEOL ALD, CVD和PVD)以及其他高温工艺。hightemp - 400无线晶圆可测量工艺设备的热均匀性,并提供在实际生产工艺条件下所采集的时间和空间温度数据。通过揭示可能影响工艺窗口和图案化性能的热变化,hightemp - 400可以协助IC制造商将新材料,晶体管技术和复杂的图形化技术进行集成。

紫外晶圆

紫外晶圆

实时沉积和退火紫外光测量系统

紫外晶圆实时紫外(UV)光测量系统利用无线传感晶圆技术在薄膜沉积工艺设备内部测量晶圆表面的紫外线光剂量和强度。紫外晶圆可以在FCVD（可流动）氧化物和低k电介质膜的固化或退火工艺中采集UV灯到达晶圆表面的光强度的时间和空间信息，从而能够实现前所不能的工艺优化和监控。 UV晶圆还可以识别由于灯老化而引起的漂移或者其他强度变化，以及由此引起的薄膜性质不均匀。 通过凸显UV灯子系统内的光学系统问题，紫外晶圆可帮助工程师推动工艺设备的改进，从而实现最佳的固化工艺。

MaskTemp™2

MaskTemp™2

实时光罩温度测量系统

在光罩厂中,MaskTemp™2实时光罩温度测量系统被用于对电子束写入仪和高温光罩工艺步骤进行评估和监控。MaskTemp 2是电子束光罩写入仪认证中极为关键的一环,因为光罩写入全部完成所需的时间非常长(最多24小时),而在此期间温度必须极为稳定。MaskTemp 2可以连续24小时采集电子束光罩写入仪内部的温度数据,为光罩制造商提供写入关键光罩之前所需的数据,以确保系统热稳定性。面具临时2还支持曝光后烘烤表征,热板温度均匀性监控,热板匹配及其他高温工艺应用,协助光罩制造商识别并减少写入后的工艺热变化,确保最终的光罩质量。

ScannerTemp

ScannerTemp

实时扫描晶圆温度测量系统

ScannerTemp实时晶圆温度测量系统能够对干式,浸没式和EUV光刻扫描仪进行监控。ScannerTemp无线晶圆可以采集高精度的时间和空间晶圆温度数据,因而可帮助光刻工程师针对图案叠对性能产生影响的扫描仪的热变化进行表征和监控。ScannerTemp采用扁平的,标准厚度的晶圆格式,可对光刻热均匀性和稳定性进行高精度和低噪声的监控,并实现扫描仪的认证和匹配。

集成晶片™

集成晶片™

实时光刻晶圆温度测量系统

集成晶片™实时晶圆温度测量系统可以针对光刻工艺的监控和维护采集关键的热数据。集成晶圆采用薄型无线设计，能够与几乎所有的光刻工艺设备配合使用，为关键生产工艺提供高精度的静态与动态温度测量。集成晶圆有助于光刻工程师表征热剂量均匀性并分析包括传输、加热、冷却和稳态操作的各个热循环部分。在先进的光刻工艺（例如，显影曝光后烘烤台）中，集成晶圆可以保证测量和监控关键加热板中的加热丝等应用

WetTemp-LP

WetTemp-LP

实时湿法工艺晶圆温度测量系统

WetTemp-LP实时晶圆温度测量系统支持湿法清洁和其他湿法工艺的监测。WetTemp-LP监控晶圆与标准产品晶圆具有相同的厚度,确保其与大多数单个晶圆和批量湿法清洗的工艺系统相兼容。WetTemp-LP具有多个集成温度传感器,可采集大量的空间温度数据,帮助工程师认证新的湿法清洁设备,优化湿法清洁工艺并推动湿法清洁系统性能的改进。

过程调查™1530/1535

过程调查™1530/1535

实时晶圆温度监测系统

过程调查™1530和1535仪表晶圆能够监测包括冷壁式,RTP,溅射,心血管疾病,等离子剥离器和外延反应器的各种工艺的原位温度。过程调查1530年和1535年在工艺循环的每个关键步骤中能够对晶圆温度进行直接和实时测量。工艺工程师可利用这些全面的温度数据对工艺条件进行表征和微调，并推动工艺设备性能的改进以及晶圆质量和良率的提升。

过程探测™1630

过程探测™1630

实时原位晶圆温度检测系统

过程探测™1630仪表晶圆可以对前段常压和带式CVD系统以及后段晶圆焊料凸块回流焊炉的晶圆温度曲线进行精确的原位表征。工艺工程师可采用过程调查1630年以确定边缘到中心的温度曲线,从而调整加热器区域设定点和测量沉积温度的漂移,并可以根据加热器和皮带上氧化物积聚引起的热传递变化进行调整。

过程探测™1730

过程探测™1730

实时原位晶圆温度监测系统

过程探测™1730仪表晶圆可实现光阻显影系统,温控晶圆卡盘系统,焊炉应用以及抗烘烤,聚酰亚胺和SOG应用中晶圆温度分布的精确原位表征。过程调查1730可帮助工程师表征和微调工艺条件,从而提高工艺设备的性能,从而实现更高的产量。

过程调查™1840/1850

过程调查™1840/1850

实时晶圆温度监控系统

过程调查™1840和1850仪表晶圆可提供高精度和实时的热板温度测量,以支持光阻显影系统和晶圆探测器等工艺。过程调查1840年和1850年可以直接测量晶圆温度稳定性和均匀性,而不需要依赖于不精确的工艺监视器或接触式温度传感器。利用过程调查1840年和1850年,光刻工程师可以表征和微调光阻烘烤温度的均匀性,确保先进光刻工艺满足温度精度的要去并实现高良率。

PlasmaSuite

PlasmaSuite

等离子数据分析系统

PlasmaView
PlasmaView工艺分析查看系统提供了一个直观的界面,用于查看详细的等离子蚀刻工艺分析。通过使用从EtchTemp和EtchTemp-SE收集的数据,PlasmaView可以显示等离子工艺数据与时间和空间(2 d或3 d)的关系。电影视图功能允许工艺工程师将关键的瞬态响应可视化，并将其用于故障调查。

PlasmaControl
PlasmaControl分析引擎可以协助日常操作进行监控和控制,并且协助反应腔到反应腔的匹配。它将复杂的等离子蚀刻工艺精简到几个关键部分并将其与控制规格进行比较,为每次运行提供简单的“通过”或“不通过”的结果。PlasmaControl让工程师能够查看趋势,发现并研究偏移,并将等离子蚀刻工艺反应室进行比较。

LithoSuite

LithoSuite

光刻数据分析系统

LithoView
LithoView工艺分析用户界面提供标准化数据查看功能,包括数据的2 d和3 d时间视图。LithoView为工程师提供完整的任务控制功能，例如完整的SensorWafer™通信、任务操作和数据下载。 LithoView还包括一个数据库和浏览器，用于完整跟踪数据历史记录。

AutoCal TrackTune应用软件
AutoCal TrackTune高级软件应用程序用于校准和优化高级轨道加热板。该应用程序利用SensArray^®集成晶圆数据的准确性来捕捉光阻工艺区的温度分布。通过将详细的热曲线数据与特定的OEM板的热模型引擎相结合,就可以生成优化加热板控制系统的输入参数设置。这些经过优化的设置可以显着改善加热板的均匀性，以及同步板与板间的热分布。

温度图^®

温度图^®

无线数据采集和数据分析

温度图^®数据采集和分析系统提供原位晶圆温度测量。热地图系统将无线伊希斯5(智能传感器接口系统)数据采集单元与功能强大的绘图软件相结合,可以将任何SensArray^®仪表晶圆所收集的数据进行可视化并加以分析。这种精密的晶圆温度数据采集和分析系统可为瞬态和稳态测量提供出色的准确度、精度和分辨率。通过采用简明而信息丰富的图形表示温度的上升,稳态和下降,温度图通过以下的功能协助快速工艺优化:

• 将薄膜厚度和电阻率分布图相关联的表面形貌图
• 快速查看工艺温度曲线变化的动画
• 运行到运行以及运行内的分析

热跟踪^™5

热跟踪^™5

手持式无线数据采集

热跟踪^™5数据采集系统通过布线的SensArray^®ProcessProbe™仪表晶圆产品以支持实时的晶圆温度测量。热跟踪5系统结合了无线ISIS 5（智能传感器接口系统）数据采集单元和手持式个人数据助理，在进行实时数据显示和记录的同时，表征温度曲线。通过对升温、稳态和冷却期间的晶圆温度进行内容丰富的图形显示，Thermal TRACK 5为大多数工艺提供了快速且经济的管理方法。该便携式系统能够为瞬时和稳态条件提供高精确度和高分辨率的测量，为晶圆厂工程师提供关键数据，用以校准并检查温度设定值，除此之外，还可以运行预先设定的预防性维护检查。